3.3V升5V （AH6901）切換市場6291升壓芯片

振邦微科技新推出巖神正一款3.3V升5V （AH6901）切換市場6291升壓芯片，AH6901是一款小封裝（SOT23-6） 、CC(恒流)模式的AH M升壓ic,適用于鋰電池（3～4.2V）輸出5V 1A的移動電源應(yīng)用 。AH6901輸入電壓范圍可由最低2.7伏特到最高12伏特 ，輸出電壓3.3升5V可調(diào)整且內(nèi)部MOS輸出開關(guān)電流可高達(dá)2A,封裝為SOT23-6,工作頻率為1MHZ,可以搭配3.3uh小型貼片電感
，減少成品體積，非常適合于數(shù)瞎此碼便攜產(chǎn)品電池供電 ，3G網(wǎng)絡(luò)粗悔產(chǎn)品，數(shù)碼相機(jī)
，LCD液晶屏背光電路，太陽能照明路燈 ，網(wǎng)絡(luò)通訊等產(chǎn)品的電壓轉(zhuǎn)換
。

? ? ? ? AH6901內(nèi)置過溫保護(hù)
，關(guān)斷保護(hù)，欠壓保護(hù) ，過流保護(hù)
，并可以外接電阻調(diào)整最大電流值。

3.3V升5V （AH6901）切換市場6291升壓芯片應(yīng)用于：數(shù)碼相機(jī)，移動電源, 藍(lán)牙音箱 ，插卡音箱
、LED臺燈
，便捷DVD，MID ，移動電話等數(shù)碼產(chǎn)品應(yīng)用 。

AH6901典型應(yīng)用

應(yīng)用? ? 電流? ? 轉(zhuǎn)換效率

3V升5? ? ? 1A? ? ? 86%

5v升7.4v? 400MA? ? 92%

5V升12v? ? 200MA? ? 90%

Am29LV800D-----這個flash.如何接成16位，和8位？？求助

（1）S3C2440 的地址線 ADDR1-19 與 Am29LV800D 的地址線 A0-18 依次武漢理工大學(xué)碩士學(xué)位論文

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相連。由于 NOR Flash 選擇的是 512K×16Bit 存儲形式 ，即 NOR Flash 的最小

存儲單位為 2 字節(jié)，而 S3C2440 最小尋址單位為 1 字節(jié)
，因此需要將地址線的

第二位 ADDR1 與 A0 相連，而 ADDR0 不與 NOR Flash 芯片相連
。

（2）16位數(shù)據(jù)線依次相連。其中端口DQ15/A-1有兩種用途 ，如嘩沒廳果NOR Flash

芯片選擇的是 1024K×8Bit 存儲方式
，該端口將作為最低位的地址線，而本文選

擇的是 512K×16Bit 存儲方式 ，因此該端口用作數(shù)據(jù)線的最高位 DQ15 。

（3）CE 是片選信號
，由于 NOR Flash 連接到 BANK0，因此需要用到 BANK0

的片選信號 nGAH 0
。讀使能 OE ，寫使能 WE 與 S3C2440 對應(yīng)引腳相連。

（4）RY/BY 表示 NOR Flash 是就緒還是繁忙的狀態(tài)信息
，此處沒有使用，

所以懸空 。RESET 低電平有效 ，與電路的復(fù)位模塊相連
。

（5）BYTE 是 NOR Flash 芯片讀寫方式的選擇
，高電平對應(yīng) 16bit 模式，低

電平對應(yīng) 8bit 模式。本文使用的是 16bit 模式 ，因此直接接 VDD 。

（6）OM0，OM1 是 S3C2440 啟動方式的選擇
。當(dāng) OM0=1
，OM1=0 芯片置

為 16bit 方式，并且將 NOR Flash 芯片映射到 BANK0 地址 0x0 處。S3C2440 只

有 16bit 和 32bir 兩種使用 NOR Flash 啟動的方式 ，因此前面的 Am29LV800D 只

能使用 16bit 讀寫方式
，而不能使用 8bit 模式 。

NOR Flash 的讀寫方式基本與內(nèi)存一樣，可以直接在其地址范圍內(nèi)進(jìn)行讀寫
。

因此將啟動程序拷貝到亂隱 NOR Flash 里面 ，上電后便可以直接運(yùn)行。但 NOR Flash

價格昂貴
，而且 1M 容量也顯不足，因此本系統(tǒng)還加上了一塊 NAND Flash 芯片

作為補(bǔ)充 。

2.4.2 NAND Flash 存儲器電路設(shè)計(jì)

相對于 NOR Flash 的昂貴 ，NAND Flash 則要便宜很多
，因此更適合作為較

大容量的存儲介質(zhì)使用。1989 年東芝公司發(fā)表了 NAND Flash 技術(shù)（后將該技

術(shù)無償轉(zhuǎn)讓給韓國三星公司），NAND Flash 技術(shù)強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本 ，更高

的性能
，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級
。NAND Flash 結(jié)構(gòu)能提供極高

的單元密度，可以達(dá)到高存儲密度 ，并且寫入和擦除的速度也很快。其缺點(diǎn)在

于需要特殊的系統(tǒng)接口，并且 CPU 需要驅(qū)動程序才能從 NAND Flash 中讀取數(shù)

據(jù)
，使用時一般是將數(shù)據(jù)從 NAND Flash 中拷貝到 SDRAM 中，再供 CPU 順序

執(zhí)行 ，這也是大多數(shù)嵌入式系統(tǒng)不能從 NAND Flash 中啟動的原因 。

S3C2440 不僅支持從 NOR Flash 啟動
，而且支持從 NAND Flash 啟動
。這是武漢理工大學(xué)碩士學(xué)位論文

11

因?yàn)閺?NAND Flash 啟動的時候，F(xiàn)lash 中開始 4k 的數(shù)據(jù)會被 S3C2440 自動地復(fù)

制到芯片內(nèi)部一個叫“Steppingstone ”的 RAM 中 ，并把 0x0 設(shè)置為內(nèi)部 RAM

的起始地址
，然后 CPU 從內(nèi)部 RAM 的 0x0 位置開始執(zhí)行。這個過程不需要程

序干涉 。而程序則可使用這 4k 代碼來把更多數(shù)據(jù)從 NAND Flash 中拷貝到

SDRAM 中去，從而實(shí)現(xiàn)從 NAND Flash 啟動
。

選擇是從 NOR Flash 啟動 ，還是 NAND Flash 啟動
，需要對 OM0 和 OM1

引腳進(jìn)行不同的設(shè)置，如果常常需要切換啟動模式 ，可以將這兩個引腳接到跳

線柱上
，通過跳線夾對其進(jìn)行設(shè)置。

本文選用的是三星公司出品的 K9F1208U0B NAND Flash 芯片察滾，該芯片容量

為 64M×8bit 。由于 S3C2440 已經(jīng)內(nèi)置了 NAND Flash 控制器 ，因此電路設(shè)計(jì)十

分簡單，不需要再外加控制芯片
。電路圖如圖 2－4 所示。

圖 2－4 NAND Flash 電路圖

電路圖說明：

（1）由于 NAND Flash 芯片是以字節(jié)為單位存儲的
，因此的數(shù)據(jù)線 I/O0-7

直接與 S3C2440 的數(shù)據(jù)線 DATA0-7 相連，不需要像 NOR Flash 那樣偏移一位進(jìn)

行相連 。I/O0-7 是充當(dāng)?shù)刂?，命令
，數(shù)據(jù)復(fù)用的端口
。

（2）ALE 地址鎖存允許，CLE 命令鎖存允許 ，CE 片選
，WE 寫使能，RE

讀使能依次與 S3C2440 的 NAND Flash 控制器的引腳 ALE ，CLE
，nFCE，nFWE ，

nFRE 相連。

（3）WP 寫保護(hù)
，這里沒有用到，直接接到高電平使其無效 。VCC 與電源

相連 ，VSS 與地相連。武漢理工大學(xué)碩士學(xué)位論文

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（4）當(dāng) OM0，OM1 均接地為 0 時
，S3C2440 將會從 NAND Flash 中啟動，

內(nèi)部 RAM“Steppingstone
”將會被映射到 0x0 位置 ，取代本來在這個位置的 NOR

Flash
。上電時 NAND Flash 中的前 4K 數(shù)據(jù)會被自動拷貝到“Steppingstone”中
，

從而實(shí)現(xiàn)從 NAND Flash 啟動。

（5）NCON、GPG15 接地；GPG13 、14 接電源 。這四個引腳用來對 NAND

Flash 進(jìn)行設(shè)置
。以上設(shè)置表示使用的 Flash 是普通 NAND Flash，一頁的大小為

512 字 節(jié)  ， 需 要 進(jìn) 行 4 個 周 期 的 地 址 傳 輸 完 成 一 次 尋 址 操 作 （ 這 是 因 為

K9F1208U0B 片內(nèi)采用 26 位尋址方式
，從第 0 位開始分四次通過 I/O0－I/O7 進(jìn)

行傳送），數(shù)據(jù)位寬為 8bit。不同的芯片有不同的設(shè)置方式 ，以上是 K9F1208U0B

的設(shè)置方式
，其它芯片的設(shè)置方法需要參考 S3C2440 和具體使用的 NAND Flash

芯片的數(shù)據(jù)手冊 。

NAND Flash 不對應(yīng)任何 BANK，因此不能對 NAND Flash 進(jìn)行總線操作 ，

也就無法像 NOR Flash 和 SDRAM 一樣通過地址直接進(jìn)行訪問
。對 NAND Flash

存儲芯片進(jìn)行操作
，必須通過 NAND Flash 控制器的專用寄存器才能完成。

NAND Flash 的寫操作必須以塊方式進(jìn)行，讀操作可以按字節(jié)讀取 。

對 K9F1208U0B 的操作是通過向命令寄存器（對于 S3C2440 來說此寄存器

為 NFCMMD ，內(nèi)存映射地址為 0x4e000004）發(fā)送命令隊(duì)列實(shí)現(xiàn)的，命令隊(duì)列一

般是連續(xù)幾條命令或是一條命令加幾個參數(shù)
，具體的命令可以參考 K9F1208U0B

的數(shù)據(jù)手冊
。地址寄存器把一個完整的 NAND Flash 地址分解成 Column Address

與 Page Address 進(jìn)行尋址。Column Address 是列地址，用來指定 Page 上的具體

某個字節(jié) 。Page Address 是頁地址 ，用來確定讀寫操作是在 Flash 上的哪個頁進(jìn)

行的
，由于頁地址總是以 512 字節(jié)對齊的，所以它的低 9 位總是 0
。

一個 26 位地址中的 A0~A7 是它的列地址 ，A9~A25 是它的頁地址。當(dāng)發(fā)送

完命令后（例如讀命令 00h 或 01h）
，地址將分 4 個周期發(fā)送 。第一個周期是發(fā)

送列地址。之后 3 個周期則是指定頁地址
。當(dāng)發(fā)送完地址后，就可以通過數(shù)據(jù)

寄存器對 NAND Flash 進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫。以上只是 S3C2440 的 NAND Flash 控制

器的大致操作流程 ，具體操作方式需要參考數(shù)據(jù)手冊 。

2.4.3 SDRAM 存儲器電路設(shè)計(jì)

從 Flash 中讀取數(shù)據(jù)的速度相對較慢
，而 S3C2440 運(yùn)行的速度卻很快，其執(zhí)

行指令的速度遠(yuǎn)高于從 Flash 中讀取指令的速度
。如果僅按照數(shù)據(jù)從 Flash 讀取 ，武漢理工大學(xué)碩士學(xué)位論文

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然后再到芯片處理的方式設(shè)計(jì)系統(tǒng)
，那么即使芯片的運(yùn)算能力再強(qiáng)，在沒有指

令執(zhí)行的情況下 ，它也只能等待。因此系統(tǒng)中還需要加入 SDRAM 。

SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是同步動態(tài)隨機(jī)

存取存儲器，同步是指工作時需要同步時鐘
，內(nèi)部命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都

以它為基準(zhǔn)，動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失 ，隨機(jī)是指

數(shù)據(jù)不是線性依次存儲
，而是由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫
。

SDRAM 是與系統(tǒng)時鐘同步工作的動態(tài)存儲器，它具有數(shù)據(jù)吞吐量大 ，速度

快
，價格便宜等特點(diǎn)。SDRAM 在系統(tǒng)中的主要作用是作為程序代碼的運(yùn)行空間 。

當(dāng)系統(tǒng)啟動時，CPU 首先從復(fù)位地址處讀取啟動代碼 ，在完成系統(tǒng)的初始化后
，

將程序代碼調(diào)入 SDRAM 中運(yùn)行，以提高系統(tǒng)的運(yùn)行速度
。同時 ，系統(tǒng)和用戶

堆棧、操作數(shù)據(jù)也存放在 SDRAM 中。

由于 SDRAM 自身結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)
，它需要定時刷新，這就要求硬件電路要有

定時刷新的功能 ，S3C2440 芯片在片內(nèi)集成了獨(dú)立的 SDRAM 控制電路，可以

很方便的與 SDRAM 連接
，使系統(tǒng)得以穩(wěn)定的運(yùn)行 。

本設(shè)計(jì)使用的 SDRAM 芯片型號是 HY57V561620，存儲容量為 4Bank×4M

×l6bit ，每個 Bank 為 8M 字節(jié)
，總共大小為 32M
。本系統(tǒng)通過兩片 HY57V561620

構(gòu)建了 64MB 的 SDRAM 存儲器系統(tǒng)，能滿足嵌入式操作系統(tǒng)及較復(fù)雜算法的

運(yùn)行要求。電路圖如圖 2－5 所示 。

圖 2－5 SDRAM 電路圖

電路圖說明：

（1）本系統(tǒng)使用兩塊 HY57V561620 芯片組成容量 64M 的 SDRAM。兩片

SDRAM 都是以 2 字節(jié)為單位進(jìn)行存儲 ，因此一次存儲的最小容量為 4 字節(jié)
。將

一塊芯片的數(shù)據(jù)線 DQ0-DQ15 與 S3C2440 的數(shù)據(jù)線低位 DATA0-DATA15 相連
，武漢理工大學(xué)碩士學(xué)位論文

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而另一塊則與數(shù)據(jù)線的高位 DATA16-DATA31 相連。

（2）兩塊 SDRAM 芯片地址線均與 S3C2440 地址線 ADDR2-ADDR14 依次

相連 。SDRAM 的內(nèi)部是一個存儲陣列，陣列就如同表格一樣 ，將數(shù)據(jù)“填 ”進(jìn)去
，

和表格的檢索原理一樣，先指定一個行（Row） ，再指定一個列（Column）
，就

可以準(zhǔn)確地找到所需要的單元格，這就是內(nèi)存芯片尋址的基本原理
。正因?yàn)槿?/p>

此  ， 地 址 是 通 過 將 存 儲 單 元 的 列 地 址 和 行 地 址 分 開 進(jìn) 行 傳 送 的 ， 因 此

HY57V561620 只用了 13 根地址線便完成了一個 BANK（8M 大?。┑膶ぶ?。否

則按照正常情況 8M 大小的地址空間
，按照字節(jié)傳輸，需要用到 24 根地址線 。

由于本系統(tǒng)由兩塊 16bit 的芯片組成 ，一次最小的存儲單位為 4 字節(jié)
，也就是說

尋址的間隔應(yīng)該為 4（2

2

）字節(jié)
。ADDR0 的間隔對應(yīng)為 1 字節(jié)，ADDR1 為 2 字

節(jié) ，ADDR2 為 4 字節(jié)。因此 HY57V561620 需要從 ADDR2 開始連接
，從而達(dá)

到一次尋址的間隔為 4 字節(jié)的目的 。

（3）HY57V561620由 4個BANK組成，每個BANK大小為8M（4M×16bit）
。

因此在不同的 BANK 之間也需要尋址。由于一個 BANK 的大小為 8M=2

23

 ，因

此對間隔為 8M 的 BANK 空間尋址
，需要使用從 ADDR24 開始的兩根地址線 。

所以 BA0，BA1 分別接到 ADDR24 ，ADDR25
。

（4）LDQM
，UDQM 為數(shù)據(jù)輸入輸出屏蔽，由 S3C2440 的 SDRAM 控制器

使用 ，這里連接到低位數(shù)據(jù)線的芯片連接到 DQM0，DQM1；而連接到高位數(shù)據(jù)

線的芯片連接到 DQM2
，DQM3。具體連接方法可以查看 S3C2440 的數(shù)據(jù)手冊 。

（5）片選信號 AH 連接到 SDRAM 的片選信號 nSAH 0，兩塊芯片對應(yīng)同一

片選信號。這是因?yàn)閮蓧K芯片是按照高位 ，低位的方式連接的
，他們處于同一

地址空間
。

（6）RAS 行地址選通信號，CAS 列地址選通信號 ，WE 寫使能
，分別與

S3C2440 相應(yīng)的控制引腳 nSRAS
、nSCAS、nWE 相連。CLK 時鐘信號，CKE

時鐘使能信號分別連接到 SCKE 、SCLK 。

使用程序讀寫 SDRAM 前 ，需要初始化 SDRAM
，對一些配置寄存器進(jìn)行設(shè)

置
。這里只使用了 BANK6，并未用到 BANK7。

初始化的代碼大致如下：

void memsetup(void)

{

rBWSCON = 0x22111110; 武漢理工大學(xué)碩士學(xué)位論文

15

rBANKCON0 = 0x700;

rBANKCON1 = 0x700;

rBANKCON2 = 0x700;

rBANKCON3 = 0x700;

rBANKCON4 = 0x700;

rBANKCON5 = 0x700;

rBANKCON6 = 0x18005;

rBANKCON7 = 0x18005;

rREFRESH = 0x8e07a3;

rBANKSIZE = 0xb2;

rMRSRB6 = 0x30;

rMRSRB7 = 0x30;

}

BWSCON 寄存器這里主要用來設(shè)置位寬 ，其中每 4 位描述一個 BANK
，對

于本系統(tǒng)，使用的是兩片容量為 32Mbyte
、位寬為 16 的 SDRAM ，組成了容量

為 64Mbyte、位寬為 32 的存儲器，因此要將 BANK6 設(shè)置為 32 位 。BANKCON0-5

沒有用到
，使用默認(rèn)值 0x700 即可
。BANKCON6-7 是用來設(shè)置 SDRAM，設(shè)成

0x18005 意味著外接的是 SDRAM ，且列地址位數(shù)為 9。REFRESH 寄存器用于設(shè)

置SDRAM的刷新周期
，查閱HY57V561620數(shù)據(jù)手冊即可知道刷新周期的取值 。

BANKSIZE 設(shè)置 BANK6 與 BANK7 的大小
。BANK6 、BANK7 對應(yīng)的地址空間

與 BANK0~5 不同。BANK0~5 的地址空間大小都是固定的 128M，BANK7 的起

始地址是可變的 ，本系統(tǒng)僅使用 BANK6 的 64M 空間
，因此可以令該寄存器的

位[2:0]＝010（128M/128M）或 001（64M/64M），多出來的空間會被檢測出來 ，

不會發(fā)生使用不存在內(nèi)存的情況
，因?yàn)锽ootloader和Linux內(nèi)核都會作內(nèi)存檢測 。

2.4.4 觸摸屏電路設(shè)計(jì)

使用觸摸屏 TSP（Touch Screen Panel）進(jìn)行輸入，是指用手指或其它物體觸

摸安裝在顯示器前端的觸摸屏 ，將所觸摸的位置（以坐標(biāo)形式）由觸摸屏控制

器檢測
，并通過接口送到 CPU，從而確定輸入的相應(yīng)信息
。觸摸屏通過一定的

物理機(jī)制 ，使用戶直接在加載觸摸屏的顯示器上，通過觸摸控制方式而非傳統(tǒng)

的鼠標(biāo)鍵盤控制方式向計(jì)算機(jī)輸入信息[14]

。武漢理工大學(xué)碩士學(xué)位論文

16

根據(jù)其技術(shù)原理
，觸摸屏可分為矢量壓力傳感式
、電阻式、電容式 、紅外

式和表面聲波式等五類，當(dāng)前電阻式觸摸屏在嵌入式系統(tǒng)中用的較多 。電阻觸

摸屏是一個多層的復(fù)合膜 ，由一層玻璃或有機(jī)玻璃作為基層
，表面涂有一層透

明的導(dǎo)電層，上面蓋有一層塑料層 ，它的內(nèi)表面也涂有一層透明的導(dǎo)電層
，在

兩層導(dǎo)電層之間有許多細(xì)小的透明隔離點(diǎn)把它們隔開絕緣。工業(yè)中常用 ITO

（Indium Tin Oxide 氧化錫）作為導(dǎo)電層
。電阻式觸摸屏根據(jù)信號線數(shù)又分為四

線
、五線、六線……等類型。信號線數(shù)量越多，技術(shù)越復(fù)雜 ，坐標(biāo)定位也越精

確 。所有電阻式觸摸屏的基本原理都是類似的
，當(dāng)觸摸屏幕時，平常絕緣的兩

層導(dǎo)電層在觸摸點(diǎn)位置就有了一個接觸 ，控制器檢測到這個接通后
，由于其中

一面導(dǎo)電層接通 Y 軸方向的 5V 均勻電壓，另一導(dǎo)電層將接觸點(diǎn)的電壓引至控制

電路進(jìn)行 A/D 轉(zhuǎn)換 ，得到電壓值后與 5V 相比，即可得觸摸點(diǎn)的 Y 軸坐標(biāo)
，同

理得出 X 軸的坐標(biāo)[15]


。本文使用是四線電阻式觸摸屏。

S3C2440 提供 8 路 A/D 模擬輸入，其中有 4 路是與觸摸屏復(fù)用的 ，如果 XP 、

XM
、YP、YM 這 4 根引腳不用做觸摸屏輸入的時候可以作為普通的 A/D 轉(zhuǎn)換使

用 。S3C2440 的觸摸屏接口有四種工作模式：

（1）正常轉(zhuǎn)換模式：此模式與通用的 A/D 轉(zhuǎn)換模式相似
。此模式可在

ADCCON（ADC 控制寄存器）中設(shè)置
，在 ADCDAT0（數(shù)據(jù)寄存器 0）中完成

數(shù)據(jù)讀寫。

（2）X/Y 坐標(biāo)各自轉(zhuǎn)換：觸摸屏控制器支持兩種轉(zhuǎn)換模式，X/Y 坐標(biāo)各自

轉(zhuǎn)換與 X/Y 坐標(biāo)自動轉(zhuǎn)換 。各自轉(zhuǎn)換是在 X 模式下 ，將 X 坐標(biāo)寫入 ADCDAT0

然后產(chǎn)生中斷；在 Y 模式下
，將 Y 坐標(biāo)寫入 ADCDAT1 然后產(chǎn)生中斷
。

（3）X/Y 坐標(biāo)自動轉(zhuǎn)換：在此模式下，觸摸屏控制器先后轉(zhuǎn)換觸摸點(diǎn)的 X

坐標(biāo)與 Y 坐標(biāo)。當(dāng) X 坐標(biāo)與 Y 坐標(biāo)都轉(zhuǎn)換完成時 ，會向中斷控制器產(chǎn)生中斷 。

（4）等待中斷模式：當(dāng)觸摸筆按下時
，觸摸屏產(chǎn)生中斷（INT_TC）
。等待

中斷模式必須將寄存器 rADCTSC 設(shè)置為 0xd3；在觸摸屏控制器產(chǎn)生中斷以后，

必須將此模式清除。

本設(shè)計(jì)采用的觸摸屏是由廣州友善之臂公司提供的 ，并且已經(jīng)加在 LCD 屏

AA084VC03 之上
，與 LCD 一起提供了一個對外接口 。AA084VC03 是日本三菱

公司的 8.4 寸 TFT-LCD，分辨率為 640x480 ，262K 色。本款觸摸屏為四線電阻

式觸摸屏，使用 S3C2440 的觸摸屏控制單元可以大大簡化電路設(shè)計(jì)
。具體電路

圖見下一小節(jié)中的圖 2－6。AM29LV800D

看看對你有沒有用

24v800ah等于多少度電

24v800ah等于19.2度電 。

24*800=19200W
，1度電＝圓槐1000W/小時，19200W ，相當(dāng)于19.2度電
，鉛蓄電池能反復(fù)充電 、放電，它AH8691-24v轉(zhuǎn)8.4v800AM芯片的單體電壓是2V ，電池是由一個或多個單體構(gòu)成的電池組
，簡稱謹(jǐn)山蓄電池，最常見的是6V ，其它還有2V、4V
、8V、24V蓄電池
。

電功和電功率的區(qū)別：

1 、性質(zhì)不同
，電能可以轉(zhuǎn)化成多種其AH8691-24v轉(zhuǎn)8.4v800AM芯片他形式的能量，電功率是用來表示消耗電能的快慢的物理量。

2
、計(jì)算公式不同 ，計(jì)算電功率可以用公式P=I^2*R和P=U^2 /R
，電功則是當(dāng)電路兩端電壓為U，橘晌友電路中的電流為I ，通電時間為t時，電功W為：W=UIt 。

3、單位不同
，焦耳和瓦特分別是電功 、電功率的單位
。

4
、電功是電流所做的功，即有多少電能轉(zhuǎn)化成其AH8691-24v轉(zhuǎn)8.4v800AM芯片他形式的能 ，電流就做了多少功單位是焦耳
，用W表示。

以上內(nèi)容參考：百度百科-電功率

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am8272是什么芯片

AM8272是主控芯片 。

搭載AM8272主控芯片AH8691-24v轉(zhuǎn)8.4v800AM芯片，穩(wěn)定信唯空肢號低延遲AH8691-24v轉(zhuǎn)8.4v800AM芯片 ，指世不管看科虧襲幻大片、玩游戲 、分屏操作AH8691-24v轉(zhuǎn)8.4v800AM芯片
，畫面依然流暢
。

指紋芯片模組里的ah是什么意思

1
、以AH8669為液梁含渣罩例，它是一顆低成本的非隔離開關(guān)高性能交流轉(zhuǎn)直流的轉(zhuǎn)換器降壓芯片。

2、內(nèi)部集成650V高耐壓功率MO死FET額定700MA電流輸出 ，非常適應(yīng)于消費(fèi)類電子
，智能小家電鬧笑控制模塊以及給MCU供電和智能插座的家用電器上，目前LED應(yīng)急燈上也廣泛應(yīng)用中 。

3 、交流220轉(zhuǎn)12V ，交流轉(zhuǎn)12V外圍元件少
，電路簡單，交流220轉(zhuǎn)12V ，交流轉(zhuǎn)12V內(nèi)部集成軟啟動電路具有多功能保護(hù)有過載保護(hù)
、過壓保護(hù)、過熱保護(hù) 、還具備了自恢復(fù)功能AH8669在能源中達(dá)到了六級能效的高要求
。

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